高端半导体激光器芯片提供商纵慧芯光半导体科技有限公司(简称纵慧芯光)宣布，其砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)化合物半导体工厂FabX完成通线，标志着纵慧芯光在高端光电子芯片领域的又一重大突破，助力中国在高速光通信、激光雷达等核心芯片的自主化发展。
2024年4月纵慧芯光完成数亿元人民币的C4轮融资，此次融资目标是加速产品技术研发和光通信产线布局。
据公开资料显示，纵慧芯光FabX项目投资规模达到5.5亿元人民币，规划用地40亩，目标建设一条年产能为5000万片芯片的半导体激光芯片生产线，同时配备先进的研发中心和测试中心。历时一年时间，纵慧芯光FabX完成了厂房设计、建设及设备选型调试，并攻克了产品外延结构设计、Fab工艺开发等多项技术难题，成功实现项目通线。 半导体激光器芯片在光通信的主要应用是光模块。根据ICC讯石咨询数据显示，2025年全球光模块市场将达220亿美元，预计2029年该市场增长至312.00亿美元，复合增长率为7.24%。全球光模块市场增长核心驱动力是AI算力、云计算、5G/6G无线和光接入以及城域骨干网络等场景速率升级。
尤其是Hyperscaler积极部署AI算力集群互连，推动了400G和800G光模块交付规模创下历史新纪录。 但是，AI算力互连需求急剧增长超过全球产业链的供应能力，尽管主流激光器供应商已在2024年扩产加大供应，但高速光芯片短缺依然延长了交货周期，光模块客户面临很大的光电子芯片缺口。这给予中国光电子芯片厂商崛起的市场机会。
在光通信领域，纵慧芯光已于2023年实现50G PAM4 VCSEL芯片销售。100G PAM4 VCSEL样品指标与国际头部厂商对齐，在谱宽指标方面优于国际头部厂商，有利于更远距离的信号传输，预计2025年开始量产，以满足供不应求的AI市场。 纵慧芯光FabX工厂布局砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)化合物半导体技术材料平台，将使纵慧芯光成为成为更全面的半导体光电器件提供商，瞄准AI算力驱动下高速光通信市场对高端VCSEL、EML、大功率CW DFB等半导体激光器芯片供不应求的上升需求，为全球客户提供更高品质的产品和服务，助力公司在全球市场中占据更有利的竞争地位。
