法国氮化铝（AlN）初创公司EasyGaN因未能筹集到更多资金而倒闭。
这家位于法国Sophia Antipolis的公司，正在利用分子束外延（MBE）技术在硅晶圆上开发AlN层，该技术比其他技术能够更精确地控制材料结构。 这项由法国研究实验室CRNS开发的技术，能够制造出比传统晶圆技术薄三倍的层，可供代工厂和芯片公司用于生产毫米波射频芯片。
此外，该公司还在考虑开发一种基于氮化镓（GaN）的版本，同样用于射频芯片。
EasyGaN CEO、前英特尔平台经理Andre Bonnardot表示：“尽管我们尽了最大努力，但仍未能获得继续开展项目所需的资金。如果您对我们通过MBE开发的AlN和硅基GaN技术感兴趣，请联系CRHEA/CNRS实验室的Fabrice Semond，他负责并支持了我们。
” EasyGaN网站现已关闭。
