福建晶旭半导体科技有限公司（以下简称：晶旭半导体）二期——基于氧化镓压电薄膜新材料的高频滤波器芯片生产项目于2023年12月开工建设。目前，项目主体已经全部封顶，预计年底之前具备设备模拟的条件。
该项目总投资16.8亿元，建设136亩工业厂区(外延、芯片及封测一体化厂区，职工生活区，研发中心，专家楼等配套)，据称将建成全球首条超宽禁带半导体高频滤波芯片生产线，建成后将填补国内在氧化镓压电薄膜新材料领域的空白。首批产线实现每年400kk产能，企业产值10亿元左右。 公开资料显示，晶旭半导体是一家拥有5G通信中高频体声波滤波芯片（BAW）全链条核心技术、以IDM模式运行的高新技术企业。核心技术是基于单晶氧化镓为压电材料的体声波滤波器芯片，拥有独立自主知识产权。
在材料、设计、制造、装备等方面，取得多项原创性突破，获授权国内外发明专利100余件，并获得多项国家级荣誉：获得全国颠覆性技术创新大赛总决赛最高奖“优胜 奖 ”（福建省唯一），创响中国创新创业大赛福建省赛区一等奖；公司核心技术团队发明的氧化物 MOCVD 设备及高质量氧化镓薄膜的异质外延生长技术，入选了2021年度中国科协科创中国百项“先导技术” 榜。关键性能比国外同类产品提升超过20%，已通过多家知名品牌客户的验证，有效解决我国在5G射频滤波芯片领域卡脖子问题。 据悉，晶旭半导体致力于打造宽禁带和超宽禁带化合物半导体芯片产业生态圈，主要产品为氧化镓基射频滤波器芯片或器件等，广泛用于5G/6G通讯、智能物联,网络基础设施、WiFi和GF市场等应用领域。
该公司基于 epsilon（ε）相氧化镓薄膜材料优越的压电特性，在国际上率先量产了质量优越的氧化镓基表/体声波射频滤波器芯片产品，为此，公司正在建设 30 条以上超宽禁带半导体射频芯片和外延片生产线，产品聚焦 5G/6G 通讯、智能物联及精确定位等应用领域，届时将形成氧化镓基声波射频滤波器芯片、射频功率电子芯片等具备全球竞争力的产品，是目前国际上一家具备氧化镓基 BAW 滤波器芯片自主量产交付能力的企业。
今年2月2日，晶旭半导体与深圳市睿悦投资控股集团有限公司（以下简称：睿悦投资）举行了战略投资签署仪式。 本次睿悦投资作为晶旭半导体的独家战略投资人，对晶旭半导体战略投资亿元人民币，助力晶旭半导体实现年产75万片氧化镓外延片、12亿颗滤波器芯片项目落成达产。预估年产值25亿左右。
