作为光模块核心器件，高速EML芯片长期依赖进口。在2025年光电子与通信会议（OECC）上，泽达半导体宣布成功开发适用于大规模生产的100G PAM4电吸收调制激光器（EML），标志着高速光通信芯片量产化取得关键进展。该成果由项目总负责人Dr. K. Huang团队主导完成，相关论文已被OECC收录，并引发行业高度关注。 技术创新驱动量产化突破 泽达半导体采用单脊波导结构和单对接再生生长技术，简化了传统EML的复杂制造流程，同时优化了抗反射（AR）涂层，显著降低了残余反射对信号的影响。
此外，团队通过精确调控InGaAsP多量子阱（MQW）的带隙和应变，使芯片在光电性能和量产稳定性上达到行业领先水平。
模拟模型和反射结果 高性能表现符合国际标准 测试数据显示，该芯片的3 dB带宽达到54 GHz，在25°C至70°C的工作温度范围内，TDECQ（传输色散眼图闭合代价）均低于3.0 dB，完全符合IEEE标准要求。这意味着它能够稳定支持100G PAM4高速信号传输，适用于下一代数据中心和5G光模块应用。 量产能力已就绪，加速市场应用 目前，泽达半导体已建立完整的3英寸晶圆生产线，从外延生长、光刻刻蚀到芯片测试均实现自主可控。
团队还自主开发了一套测试系统，可高效评估芯片的直流特性、高频响应及PAM4眼图质量，为大规模量产奠定基础。
项目负责人Dr. K. Huang表示：“我们的设计不仅优化了性能，更注重低成本、高良率的量产可行性。随着5G和数据中心对高速光模块需求的增长，泽达的100G PAM4 EML将帮助客户降低供应链风险，并推动国产光芯片的普及。” 市场前景广阔，助力国产替代 随着全球数据流量激增，100G及以上速率的光模块需求持续增长。泽达半导体的这一突破，不仅填补了国内高端EML芯片的量产空白，也为中国光通信产业链的自主可控提供了关键支持。未来，该技术有望进一步扩展至200G/400G更高速率市场，推动全球光通信技术的升级发展。
